Numéro de produit du fabricant:
TSM60N900CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60N900CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12894870
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SOUMETTRE
TSM60N900CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
480 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM60N900CP ROGCT
TSM60N900CPROGCT
TSM60N900CP ROGDKR-DG
TSM60N900CP ROGTR-DG
TSM60N900CP ROGTR
TSM60N900CPROGTR
TSM60N900CP ROGCT-DG
TSM60N900CP ROGDKR
TSM60N900CPROGDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5P60W,RVQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
9180
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5P60W,RVQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.68
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PRIX UNITAIRE
0.41
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PRIX UNITAIRE
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